當前標簽：CVD化學氣相沉積爐
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CVD化學氣相沉積爐是制備C/C復合材料的關鍵技術裝備。感應加熱CVD化學氣相沉積爐設備采用中頻感應加熱，設備采用立式，爐底升降進出料結構。溫控系統(tǒng)選用日本島電（或同檔次一線品牌）智能程序控溫儀控溫，全套設備包含爐體、中頻電源、電控系統(tǒng)、氣
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氣相沉積爐概述：CVD化學氣相沉積爐是用于制備碳碳復合材料，完成CVD氣相沉積工藝的重要工藝裝備。1)設計溫度：1250℃/1650℃/1800℃/2200℃2)常用溫度：900~1200℃3)真空度：＜50Pa4)壓升率：空爐冷態(tài)6.67
